随机存储器(动态随机存储器和静态随机存储器有什么区别)

SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。

SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。

DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。

DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。

因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。

为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。

因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。

DRAM一般用作计算机中的主存储器。